3-stufiger Ringoszillator

Mit Cadence Virtuoso einen 3-stufigen Ringoszillator mit minimaler PVT-Variation entworfen.

Die Transistorbreite eines normalen CMOS-Inverters vergrößert (400 nm auf 200 µm beim PMOS; 400 nm auf 100 µm beim NMOS) und die Länge von 280 nm auf 2 µm erhöht sowie zwei weitere Inverter für eine schnellere Schaltfrequenz hinzugefügt.

Simulation bei ±10 % Variation von VDD = 1,08 V und 1,32 V durchgeführt, jeweils mit den Prozess-Corners ss und ff bei -40 °C und 125 °C.

Mich mit AFM, SEM, CZ-Ofen, Ellipsometer und dem ultravioletten Hochvakuum-Abscheidesystem im Zentrum für Nanostrukturen vertraut gemacht.

Festgestellt, dass die AFM-Sondenköpfe für präzise Bildgebung neue Spitzen brauchen und dass die Vakuumpumpe im Abscheidesystem 10–15 Minuten Kalibrierung benötigt, bevor Druck und Ionenmessgerät einer dünnen Aluminiumschicht auf Siliziumdioxid gemessen werden können.

Eine Inspektions-/Funktionsprüfung des Ellipsometers anhand früherer Handbücher/Datenblätter durchgeführt und entdeckt, dass das auf Si(100)-Wafer aufgebrachte dünne Oxid eine 1,5× größere Polarisationsänderung und eine 1,5× größere Schichtdicke als dünnes Nitrit aufweist.

Die Laborbetriebsanleitungen für SEM, CZ-Ofen und das UV-Hochvakuum-Abscheidegerät nach Betriebsabläufen und Sicherheitsprotokollen durchgesehen und mich damit vertraut gemacht, unter Anleitung des CNS-Labortechnikers.

Dokumentierte ein technisches Benutzerhandbuch, das die Gerätecharakterisierung mit einem 4200-SCS/F-Parameteranalyzer und seinen ATE-Plattformen vorstellte, um die Leistung diskreter Bauteile (BJT, Enhancement-Mode-MOSFETs, Dioden, MOS-Kondensator) zu optimieren und dabei transistorbezogene Datenblattangaben zu berücksichtigen.

Wandte ATE-Charakterisierungsmethoden an, um Labormessungen mit Testbench-Anforderungen abzugleichen, wodurch die Produktzuverlässigkeit gesteigert und Kostenreduktionsinitiativen unterstützt wurden.